STMicroelectronics STB9NK60ZT4

N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
$ 1.419
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Schede tecniche e documenti

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Future Electronics

Datasheet19 pagine14 anni fa
Datasheet13 pagine23 anni fa

element14 APAC

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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

STMicroelectronicsSTB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB6NK60ZT4
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Single N-Channel 600 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, D2PAK
onsemiFQB7N60TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.4 A, 1 Ω, D2PAK

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STB9NK60ZT4 fornite dai suoi distributori.

N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STB9NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET, N CH, 600V, 7A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 125W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 7A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 600V, 7A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):850Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB9NK60ZT4

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics