STMicroelectronics STB42N60M2-EP
$ 2.672
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB42N60M2-EP.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK / N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFCB070N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB42N60M2-EP fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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