STMicroelectronics STB45N50DM2AG
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Tendenza a 3 mesi: -1.58%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
onsemiFCB070N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
STMicroelectronicsSTB43N65M5
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK package
InfineonIPB65R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTB34N50DM2AG
Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB60R099CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB45N50DM2AG fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK / N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
250W 25V 5V@ 250uA 57nC@ 10 V 4individualNChannel 500V 84mΩ@ 17.5A,10V 35A 2.6nF@100V D2PAK，TO-263 SMD mount 10.4mm*9.35mm*4.6mm
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.58%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Resistance84 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation250 W
Rds On Max84 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant