STMicroelectronics STB28N60DM2
$ 1.66
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-16349-1-ND | 357 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB28N60DM2 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STB28N60DM2 | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Arrow Electronics | STB28N60DM2 | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | STB28N60DM2 | 0 | 1 | Cut Tape | 1d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -22.06%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB28N60DM2.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STB28N60DM2, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB33N60DM2
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB28N60DM2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
170W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 600V 160m¦¸@ 10.5A,10V 21A 1.5nF@100V D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 170W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -22.06%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max160 mΩ
Threshold Voltage4 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB28N60DM2.