STMicroelectronics STB24N60DM2
$ 1.391
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.48%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
InfineonIPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB28N60DM2
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB24N60DM2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
150W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 29nC@ 10 V 1N 600V 200m¦¸@ 9A,10V 18A 1.055nF@100V TO-263 10.4mm
Power MOSFETs, 600V, 18A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 18A, 150度 C, 150W;
MOSFET, N-CH, 600V, 18A, 150DEG C, 150W;
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
600V 18A 2OHM SINGLE N-CH D2PAK
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -14.48%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max200 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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