STMicroelectronics STB20NM60D
Obsolete
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1 parte disponibile
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 1.977
Stock
272,138
305,941
Authorized Distributors
1
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
290 mΩ
290 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
192 W
192 W
Input Capacitance
1.3 nF
1.5 nF
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK
STMicroelectronicsSTB20NM50T4
N-channel 500 V, 0.20 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB20NM50FDT4
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - D2PAK FDmesh(TM) POWER MOSFET (with FAST DIODE)
VishaySIHB15N60E-GE3
Vishay NChannelMOSTube, Vds=600 V, 15 A, D2PAK （TO-263）encapsulation, surface mount
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB20NM60D fornite dai suoi distributori.
N-Channel 600 V 0.29 O Surface Mount FDmesh Power MosFet - D2PAK
N-channel 600 V, 0.26 Ohm, 20 A FDMESH Power MOSFET in a D2PAK package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET Transistors N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
N-channel 600V - 0.26Y - 20A - D2PAK
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STB20NM60D
Power MOSFETs, 600V, 20A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation192 W
Rds On Max290 mΩ
Resistance290 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-On Delay Time25 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant