STMicroelectronics STB141NF55
$ 1.157
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STB141NF55 | 0 | 1K | 3h | ||||||||
| Win Source | WS-STB141NF55 | 20 | 20 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | STB141NF55 | 24.148 | 7 | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Utmel Electronic | 2381-STB141NF55 | 31 | 11h | |||||||||
| Aztech | STB141NF55 | 5089 | 22h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTB80NF55-06T4
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 40 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB80NF55-08T4
N-channel 55 V, 0.0065 Ohm typ., 80 A STripFET Power MOSFET in a D2PAK package
InfineonIRL2505STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 104A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB141NF55 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFETs, 55V, 80A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time125 ns