Infineon IRF1010ZSTRLPBF
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Obsolete
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF1018ESPBF
MOSFET N-Channel 60V 79A 110W(Tc) 8.4mΩ@47A,10V 2.29nF@50V D2PAK SMD 10mm × 9.25mm × 4.4mm
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF1010ZSTRLPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Infineon N-Channel HEXFET MOSFET, Vds=55V, 94A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
Mosfet, N-Ch, 55V, 75A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF1010ZSTRLPBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 55V, 75A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.0058ohm; R; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendenza a 3 mesi: -51.77%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.5 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation140 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità