STMicroelectronics STB120N4LF6

N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
$ 1.032
EOL
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STB120N4LF6.

Components Direct

Datasheet18 pagine15 anni fa

Future Electronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+95.56%

Modelli CAD

Scarica il simbolo STMicroelectronics STB120N4LF6, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
SnapEDA
Impronta
Scarica
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-14
LTD Date2027-03-14

Parti correlate

STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB120N4F6
N-channel 40 V, 3.5 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIRL1404ZSPBF
Single N-Channel 40 V 3.1 mOhm 75 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 200A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
STMicroelectronicsSTB95N3LLH6
N-channel 30 V, 3.7 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STB120N4LF6 fornite dai suoi distributori.

N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
110W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 80nC@ 10 V 1N 40V 4m¦¸@ 40A,10V 80A 4.3nF@25V D2PAK,TO-263 4.83mm
STB120 Series 40 V 80 A 4 mOhm 110 W 80 nC N-Channel MOSFET - D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N Ch, 40V, 80A, To-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB120N4LF6

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics