STMicroelectronics STB120N4F6
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Tendenza a 3 mesi: -85.30%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIRL1404ZSTRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 200A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
InfineonIRF1503STRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB120N4F6 fornite dai suoi distributori.
N-channel 40 V, 3.5 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STB120N4F6 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 40 V, 3-PIN D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -85.30%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant