STMicroelectronics MJD45H11T4

Bipolar Transistors (BJT); MJD45H11T4; STMICROELECTRONICS; PNP; 3; 80 V; 8 A
$ 0.376
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics MJD45H11T4.

Newark

Datasheet11 pagine14 anni fa

Future Electronics

Factory Futures

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+6.81%

Modelli CAD

Scarica il simbolo STMicroelectronics MJD45H11T4, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
SnapEDA
Impronta
3DScarica
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
NPN 1.75 W 80 V 8 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
8 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
NXP SemiconductorsBUJD105AD,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 1-Element, NPN
Diodes Inc.MJD31C-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Diodes Inc.2DB1184Q-13
Trans GP BJT PNP 50V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics MJD45H11T4 fornite dai suoi distributori.

Bipolar Transistors (BJT); MJD45H11T4; STMICROELECTRONICS; PNP; 3; 80 V; 8 A
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, -80 V, 20 W, -8 A, 40 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics MJD45H11T4
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Low voltage complementary power transistor Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
MJD45H11 Series PNP 80 V 8 A Complementary Silicon Transistor - TO-252
TRANSISTOR, BJT, PNP, -80V, -8A, TO252-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: -8A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transi
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Complementary / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 80 / DC Current Gain (hFE) = 40 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 5 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 20 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • MJD45H11-T4