STMicroelectronics BDX34C
$ 0.311
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +133%
Modelli CAD
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1 parte disponibile
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.311
$ 1.19
Stock
508,510
95,288
Authorized Distributors
6
5
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
-
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
Power Dissipation
70 W
70 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1989-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics BDX34C fornite dai suoi distributori.
Bipolar junction transistor, PNP, 10 mA, 100 V, THT, TO-220, BDX34C
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Pnp, 100 V, 70 W, 10 A, 750 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BDX34C
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington PNP 100V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
BDX34C PNP DARLINGTON TRANSISTOR, 10 A 100 V HFE:750, 3-PIN TO-220
BDX Series 100 V 10 A Darlington Complementary Silicon Power Transistor TO-220AB
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 70W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transistor Case
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +133%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current10 A
Element ConfigurationSingle
hFE Min750
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation70 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant