STMicroelectronics 2STN1360
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Tendenza a 3 mesi: +142%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics 2STN1360 fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
2STN1360 Series NPN 60 V 3 A 1.6 W Switching Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
500mV@ 150mA,3A NPN 1.6W 6V 100nA 80V 60V 3A SOT-223 SMD mount 6.5mm*3.5mm*1.8mm
Transistor NPN 60V 3A 130MHz SOT223
Power Bipolar, NPN, 2V, 150mA, SOT-223, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
60V 1.6W 3A 160@1A2V 130MHz 180mV@3A150mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar NPN transistor for power amp
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 1.6W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 280hFE; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 300mV; Continuous Collector Current Ic Max: 3A; Current Ic Continuous a Max: 3A; Current Ic Hfe NPN Device: 1A; Current Ic hFE: 1A; Gain Bandwidth ft Typ: 130MHz; Hfe Min: 160; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max: 1.6W; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vcbo: 80V
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 3 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 60 / DC Current Gain (hFE) = 400 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 130 / Power Dissipation (Pd) W = 1.6 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 500 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 1.2
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +142%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min160
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency130 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.6 W
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant