ROHM UMZ1NTR
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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$ 0.096
$ 0.061
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Stock
8,898,813
706,754
706,754
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-363
SC
SC
Polarity
PNP, NPN
PNP, NPN
PNP, NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
150 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
180 MHz
114 MHz
114 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
120
200
200
Power Dissipation
150 mW
-
-
Supply Chain
Country of OriginPhilippines, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
ToshibaHN2A01FU-Y(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
ToshibaHN2C01FU-GR(T5L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di ROHM UMZ1NTR fornite dai suoi distributori.
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R / TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
ROHM UMZ1NTR Dual NPN+PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 6-Pin SC-88 | ROHM Semiconductor UMZ1NTR
UMZ1N Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP General Purpose Dual Transistor - SC-88
General Purpose Transistors NPN,PNP Ic=150mA Vceo=50V hfe=120~560 P=150mW SOT363
400mV@ 5mA,50mA,500mV@ 5mA,50mA 1 NPN,1 PNP 150mW 7V@ NPN,6V@ PNP 100nA 60V 50V 150mA SOT-363 1mm
50V 150mW 120@1mA,6V 150mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-363-6(SC-70-6) Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR DUAL UM6 PNP/NPN; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 150mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 50mA; Gain Bandwidth ft Typ: 180MHz; Hfe Min: 120; Module Configuration: Dual; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 180MHz
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.13%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-150 mA
Current Rating150 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityPNP, NPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency180 MHz
TypeGeneral Purpose
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant