Novità: Trova i componenti corretti più velocemente con la nostra esperienza riprogettata

Scopri di più

ROHM RS1E200BNTB

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
$ 0.457
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
CoreStaff
2
ST47843124
2500
1
USD
0,470
0,470
0,351
0,295
0,290
6h
Verical
3
RS1E200BNTB
2370
8
USD
0,743
0,684
0,457
0,301
Arrow Electronics
RS1E200BNTB
2370
8
USD
0,742
0,683
0,457
0,457
Newark
RS1E200BNTB
0
1
USD
1,240
0,960
0,876
0,523
0,350
Future Electronics
RS1E200BNTB
0
2500
Tape & Reel
USD
0,310

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM RS1E200BNTB.

IHS

Datasheet13 pagine7 anni fa

element14 APAC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo ROHM RS1E200BNTB, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3D
Scarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
ROHMRS1E200BNTB
onsemiFDMS7678
onsemiFDMS7678
Price @ 1000
$ 0.457
$ 0.458
$ 0.458
Stock
1,811,562
538,464
538,464
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
1.5 V
1.5 V
Rds On Max
3.9 mΩ
5.5 mΩ
5.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
20 V
Power Dissipation
-
2.3 W
2.3 W
Input Capacitance
3.1 nF
2.41 nF
2.41 nF

Supply Chain

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)

Parti correlate

InfineonIRF8734TRPBF
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Dettagli
InfineonIRF8734PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Dettagli
onsemiNTTFS4824NTAG
N-Channel 30 V 69 A 5 mO Surface Mount Power Mosfet - WDFN-8
Dettagli
InfineonIRF7862TRPBF
Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Dettagli
onsemiFDMS7670
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 3.8mΩ
Dettagli
onsemiFDMC0310AS
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 21A, 4.4mΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di ROHM RS1E200BNTB fornite dai suoi distributori.

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
Newark
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, HSOP-8;
element14 APAC
3W(Ta)，25W(Tc) 20V 2.5V@1mA 59nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 3.9mΩ@ 20A,10V 20A 3.1nF@15V HSOP-8 SMD mount 1.05mm(height)
UnikeyIC
30V, 68A, 3.8MOHM, N-CHANNEL, HSOP8
Future Electronics
MOSFET, N-CH, 30V, 20A, HSOP-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Pow
Farnell

Alias del produttore

ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Rohm Semiconductor
  • ROHM CO LTD
  • RHOM
  • ROH
  • RHM
  • ROHM ELECTRONICS
  • ROM
  • ROMH
  • ROHS
  • ROHN
  • ROHM SEMI
  • ROHM Semicon
  • ROHM CORPORATION
  • ROHM CORP
  • MIYA
  • Rohm Company Limited
  • ROHM CO
  • ROHM ELEC
  • ROHM Semiconductors
  • ROHM ELECTRO
  • ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
  • ROHM COMPANY LTD
  • ROHM INC
  • ROHM/MISC
  • ROHM/NONE

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • RS1E200BNTB..