ROHM RS1E200BNTB

Name: ROHM RS1E200BNTB
Brand: ROHM
SKU: RS1E200BNTB

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes

$ 0.503

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff	2	ST47843124	2500	1		0,470	0,470	0,351	0,295	0,290	18h
Verical	4	RS1E200BNTB	2500	162					0,568	0,519
Arrow Electronics		RS1E200BNTB	2370	1		0,224	0,224	0,224	0,224	0,224
Newark		RS1E200BNTB	0	1		0,661	0,622	0,575	0,526	0,499
Future Electronics		RS1E200BNTB	0	2500	Tape & Reel					0,310

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IHS

Datasheet13 pagine6 anni fa

element14 APAC

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ROHMRS1E200BNTB

onsemiFDMS7678

Price @ 1000

$ 0.503

$ 0.416

Stock

1,785,329

646,005

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

20 A

17.5 A

Threshold Voltage

1.5 V

Rds On Max

3.9 mΩ

5.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.3 W

Input Capacitance

3.1 nF

2.41 nF

Supply Chain

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrizioni

Descrizioni di ROHM RS1E200BNTB fornite dai suoi distributori.

MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes

Newark

3W(Ta),25W(Tc) 20V 2.5V@1mA 59nC@ 10 V 1N 30V 3.9m¦¸@ 20A,10V 20A 3.1nF@15V HSOP-8 1.05mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, HSOP-8;

element14 APAC

30V, 68A, 3.8MOHM, N-CHANNEL, HSOP8

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 30V, 20A, HSOP-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Pow

Farnell

Alias del produttore

ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: