Renesas NP100P06PDG-E1-AY

Name: Renesas NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas
SKU: NP100P06PDG-E1-AY

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 2.766

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		NP100P06PDG-E1-AY	2453	1		6,220	4,250	3,080	2,960	2,960
Renesas		NP100P06PDG-E1-AY	892	1		6,590	4,419	3,189	2,548	2,420	4h
DigiKey	3	559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND	892	1	Cut Tape	6,590	4,419	3,189	3,189	3,189
Avnet		NP100P06PDG-E1-AY	0	800					2,766	2,482	8h
Farnell		NP100P06PDG-E1-AY	2453	1		6,262*	4,273*	3,104*	2,876*	2,876*	5h

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -47.60%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

1 parte disponibile

Documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Renesas NP100P06PDG-E1-AY.

Integrated Device Technology

Datasheet8 pagine3 anni fa

Datasheet9 pagine19 anni fa

Datasheet8 pagine3 anni fa

IHS

Renesas

Modelli CAD

Tabella dei pin

Numero

Categoria

Nome visualizzato e funzioni

Informazioni sul modello

Proveniente da	Renesas
Data di rilascio	Aug 14, 2025
Conforme all'IPC	IPC-7351B
Revisione della guida di stile	Versione 1.0 - Nov 1, 2024
Origine della scheda tecnica	Versione 1.00 - Jun 10, 2022

Verifica

Basandosi sulla guida di stile e sulla scheda tecnica di questo componente, tre esperti indipendenti di ingegneria elettronica hanno creato:

3 versioni del simbolo e dell'impronta 2D
1 versione del modello 3D STEP (formato STEP AP-214)
Una configurazione della palette di colori per un produttore

Tutti i file di libreria creati sono indipendenti dalla mappatura dei livelli e possono essere facilmente mappati sulla tua progettazione.

I simboli e le impronte creati vengono quindi confrontati usando i seguenti controlli:

Simbolo

Verifiche automatizzate

Numero di parte
Parametri principali
Codice pacchetto
Nomi/numeri dei pin
Tipi di pin

Controlli manuali

Organizzazione dei pin secondo la guida di stile

Impronta

Verifiche automatizzate

Standard IPC
Autorizzazione alla serigrafia
Courtyard in eccesso
Struttura del pacchetto
Marcatura della polarità
Verifica delle dimensioni e della posizione del pad

Modello 3D STEP

Controlli manuali

Verifica delle dimensioni
Conformità alla palette di colori
Conformità al formato
Mappatura dell'orientamento in un'impronta 2D
Verifica della posizione rispetto all'impronta 2D

Viene eseguito un processo di verifica finale:

Se i simboli e le impronte corrispondono: la parte è verificata come ECAD Ready

Se i simboli e le impronte non corrispondono: un ingegnere elettronico senior esaminerà tutte le differenze per garantire che la parte soddisfi i requisiti della guida di stile e della scheda tecnica

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

-47.60%

Parti alternative

Questo componente

Parti alternative

RenesasNP100P06PDG-E1-AY

RenesasNP100P06PLG-E1-AY

Price @ 1000

$ 2.766

$ 2.681

Stock

219,135

45,473

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263

Drain to Source Voltage (Vdss)

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

-100 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

-20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

15 nF

Supply Chain

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095

Introduction Date2007-05-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Descrizioni

Descrizioni di Renesas NP100P06PDG-E1-AY fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet Silica

Trans MOSFET P-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

Immagini

Renesas

Newark

Component Sense

UTSource

Alias del produttore

Renesas ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Renesas può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Renesas Electronics
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
RENESA
REN
RENES
RENESAS TECHNOLOGY CORP
RENESAS TECHNOLOGY
Renesas Electronics Corporation
RENESAS ELECTRONICS CORP
RENSAS
RENASAS
Renesas / Intersil
RNS
RENESAS-PB
RENESASTEC
RENESES
Renesas Technology America
Renesas Design Germany GmbH
Renesas / IDT
RENESASE
RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
Renesas Electronics Operations Services Limited
RENEASAS
RENESAS/M

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Modelli CAD

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1 parte disponibile

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-263

MSL1

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)-100 A

Drain to Source Resistance7.8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Fall Time100 ns

Part FamilyNP100P06PDG

Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V

Input Capacitance15 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation1.8 W

Rds On Max6 mΩ

Rise Time35 ns

Turn-Off Delay Time275 ns

Turn-On Delay Time28 ns

Dimensions

Height4.65 mm

Length10 mm

Width9 mm

Documenti

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Scheda dati ufficiale3 anni fa

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Reach Statement2 pagine12 anni fa

Conflict Mineral Statement2 pagine12 anni fa