onsemi TIP121
$ 0.315
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.315
$ 0.413
$ 0.413
Stock
1,168,602
246,208
246,208
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
80 V
80 V
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
2 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
1000
1000
1000
Power Dissipation
65 W
65 W
65 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1983-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-11-19
LTD Date2018-05-19
Descrizioni
Descrizioni di onsemi TIP121 fornite dai suoi distributori.
Bulk Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 3A 3V 5A 2W 8MHz
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
5 A 80 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:65W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:TO-220; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 65W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transistor Case Style: T
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.214 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current5 A
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min1000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation65 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi TIP121.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità