onsemi PZTA14
$ 0.179
EOL
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.20%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.179
$ 0.229
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Stock
828,892
218,536
218,536
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
1.2 A
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
20000
20000
20000
Power Dissipation
1 W
1.5 W
1.5 W
Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2026-01-06
LTD Date2026-07-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi PZTA14 fornite dai suoi distributori.
PZTA14 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
1W 1.2A 10000@10mA5V 125MHz 1.5V@100mA100Ã×A NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05.
TRANSISTOR, NPN, 30V, 1.2A, SOT-223-4; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: ; Available until stocks are exhausted
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current1.2 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.56 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità