onsemi NVMFS4C01NT1G
$ 2.853
NRND
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Distributore
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +117%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVMFS4C01NT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Parti correlate
InfineonIRFH8303TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySIRA00DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 60A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
STMicroelectronicsSTL220N3LLH7
N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 176 A, 2 MilliOhms, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVMFS4C01NT1G fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 30V, 319A, 0.9mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
NXP MKE06Z128VLK4 32 Bit Microcontroller, Kinetis E Series, ARM Cortex-M0+, 48 MHz, 128 KB, 16 KB, 80 Pins, LQFP
Power Field-Effect Transistor, 319A I(D), 30V, 0.00095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 370A, 175度 C, 161W;
MOSFET, N-CH, 30V, 370A, 175DEG C, 161W;
3.84W(Ta), 161W(Tc) 20V 2.2V@250µA 139nC@10V N-Ch 30V 900μΩ@30A,10V 49A, 319A 10.144nF@15V SMD 4.9mm × 5.9mm × 1.05mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +117%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)319 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance950 µΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.144 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.84 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.84 W
Rds On Max900 µΩ
Rise Time68 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height1.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità