Infineon IRFH8303TRPBF
$ 0.978
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.94%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31
Parti correlate
InfineonIRFH5300TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH8307TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH8201TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFH8303TRPBF fornite dai suoi distributori.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 1.10 mOhm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Control MOSFET for synchronous buck converter | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
Trans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin QFN EP T/R
STRONG IR FET Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.94%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.736 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max1.1 mΩ
Rise Time91 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità