onsemi NVJD4401NT1G
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +5.95%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVJD4401NT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonBSD235NH6327XTSA1
Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
onsemiNTJD4105CT1G
NTJD4105C: Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemiNTJD4158CT1G
NTJD4158C: Small Signal MOSFET 30V 880mA 260 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
VishaySI1902DL-T1-GE3
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVJD4401NT1G fornite dai suoi distributori.
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.91A 6-Pin SOT−363 T/R
Avnet Japan
Dual N−Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 20 V, 0.63A, 375mΩ Small Signal MOSFET 20V 630mA 375 mOhm Dual N-Channel SC88 with ESD Protection
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.63A, 150DEG C; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 630mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltag
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +5.95%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)910 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time506 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation550 mW
Rds On Max375 mΩ
Rise Time227 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time786 ns
Turn-On Delay Time83 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità