onsemi NTMS4700NR2G
$ 0.263
Obsolete
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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Price @ 1000
$ 0.263
$ 0.604
Stock
179,894
272,792
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.6 A
8.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.2 mΩ
7.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
860 mW
1.56 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.6 nF
Parti correlate
InfineonBSO083N03MSGXUMA1
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMS4700NR2G fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 14.5A N-Channel
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 8.6A Ta 8.6A 1.56W 5ns
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating14.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation860 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation860 mW
Rds On Max7.2 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time29.5 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Schede tecniche e documenti
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