onsemi NTMFS6B14NT1G
$ 1.815
Obsolete
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Distributore
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Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.09%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTMFS6B14NT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMFS6B14NT1G fornite dai suoi distributori.
ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V
Single N−Channel Power MOSFET 100V, 50A, 14mΩ
Nfet So8Fl 100V 15A 14Moh Rohs Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.1W 20V 4V@ 250µA 20nC@ 10 V 2individualNChannel 100V 15mΩ@ 20A,10V 10A 5A 1.3nF@ 50V SO SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
N CHANNEL MOSFET, 100V, DFN-5; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0122ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.09%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation77 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length6.1 mm
Width5.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità