Diodes Inc. DMN2014LHAB-7
$ 0.237
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN2014LHAB-7DICT-ND | 2792 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2014LHAB-7 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2014LHAB-7 | 0 | 50 | Bulk | 18h | |||||||
| Future Electronics | DMN2014LHAB-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN2014LHAB-7 | 0 | 3K | 6h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.03%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2014LHAB-7.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. DMN2014LHAB-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN2015UFDE-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMP2018LFK-7
P-Channel 20 V 16 mOhm 113 nC Surface Mount Power Mosfet - UDFN2523-6
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2014LHAB-7 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 9.3A 6-Pin uDFN2030 T/R
Dual N-Channel 20 V 28 mOhm 16 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - UFDFN-6
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN / DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
MOSFET Dual N-Channel 20V 9A U-DFN2030-6
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NMOS, Vds=20 V, 9.3 A, U-DFN2030, , 6
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.03%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Rds On Max13 mΩ
Rise Time15.5 ns
Turn-Off Delay Time40.9 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Dimensions
Height600 µm
Length3.05 mm
Width2.05 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN2014LHAB-7.