onsemi NTJD4152PT1G
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Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonBSD235NH6327XTSA1
Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
onsemiNVJD4401NT1G
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiNTJD4158CT1G
NTJD4158C: Small Signal MOSFET 30V 880mA 260 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
Rochester ElectronicsBSD214SNL6327
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTJD4152PT1G fornite dai suoi distributori.
Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V -0.88A 260mΩ
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 / Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
MOSFET, DUAL P-CH, VDSS -20V, RDS(ON) 215 MILLIOHMS, ID -0.88A, SC-88/SOT-363,GFS 3S
Dual P-Channel 20 V 215 mOhm 272 mW Surface Mount Small Signal MOSFET SOT-363
PFET SC88 0.88MA 20V TR; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: 880mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.215ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.2V;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +5.05%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)880 mA
Current Rating-880 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance260 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance155 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation272 mW
Rds On Max260 mΩ
Resistance215 MΩ
Rise Time6.5 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time13.5 ns
Turn-On Delay Time5.8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height990.6 µm
Length2.1844 mm
Width1.3462 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità