onsemi NTHD3101FT1G
$ 0.354
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NTHD3101FT1G | 460.250 | 15h | |||||||||
| Verical | NTHD3101FT1G | 79.412 | 881 | |||||||||
| Flip Electronics | NTHD3101FT1G | 49.493 | 4h | |||||||||
| Avnet | NTHD3101FT1G | 0 | 1667 | 17h | ||||||||
| Microchip USA | NTHD3101FT1G | 401 | 3500 | 3d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.73%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Parti correlate
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5933CDC-T1-GE3
SI5933CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 20 V, 8-PIN 1206 CHIPFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTHD3101FT1G fornite dai suoi distributori.
P-Channel 20 V 64 mOhm 1.1 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A
P-Channel ChipFET™ Power MOSFET and Schottky Diode -20V -4.4A 80mΩ
NTHD3101F: Power MOSFET 20V 4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETKY
MOSFET, P-CH, -20V, -4.4A, CHIPFET-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.2A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.5V; Power Dissipation Pd: 2.1W; Transistor Case Style: ChipFET; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.73%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Current Rating-3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time12.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-450 mV
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max80 mΩ
Resistance64 MΩ
Rise Time11.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.5 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time5.8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.05 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità