onsemi NTD4963NT4G
$ 0.48
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2016-01-24
LTD Date2016-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTD4963NT4G fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET 30V 44A 9.6 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM
N CHANNEL MOSFET, 30V,8.1A, TO-252
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC FLASH 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.035 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation35.7 W
Rds On Max9.6 mΩ
Resistance9.6 MΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità