onsemi NTD2955T4G

Name: onsemi NTD2955T4G
Brand: onsemi
SKU: NTD2955T4G

Single P-Channel 60 V 0.18 Ohm 30 nC 55 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3

$ 0.546

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	NTD2955T4G	132.500	2500						0,270	1d
Newark	3	NTD2955T4G	1485	1	Cut Tape	1,960	1,320	0,942	0,942	0,942
Verical	4	NTD2955T4G	40.000	2500						0,319
Arrow Electronics	3	NTD2955T4G	78	1		0,851	0,678	0,484	0,484	0,484
Future Electronics	5	NTD2955T4G	70.000	2500	Tape & Reel					0,265

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -2.94%

Modelli CAD

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Parti alternative

1 parte disponibile

Schede tecniche e documenti

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JRH Electronics

Datasheet8 pagine20 anni fa

IHS

Upverter

Future Electronics

Newark

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-2.94%

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Parti alternative

Questo componente

Parti alternative

onsemiNTD2955T4G

onsemiSVD2955T4G

Price @ 1000

$ 0.546

$ 0.465

Stock

9,629,984

649,946

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

-60 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

-2.8 V

Rds On Max

180 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

55 W

Input Capacitance

750 pF

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia, Vietnam

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Descrizioni

Descrizioni di onsemi NTD2955T4G fornite dai suoi distributori.

Single P-Channel 60 V 0.18 Ohm 30 nC 55 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Single P-Channel Power MOSFET -60V, -12A, 180mΩ

onsemi

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 mA, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Avnet

NTD2955T4G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 60 V, 3-PIN DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Win Source

MOSFET-Power, P-Channel, DPAK Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

P Channel Mosfet, -60V, 12A, D-Pak, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8Vrohs Compliant: Yes |Onsemi NTD2955T4G.

Newark

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -12 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 180 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 90 / Rise Time ns = 85 / Turn-OFF Delay Time ns = 40 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 55

Distrelec

Immagini

Farnell

South Microelectronics

element14

LCSC

Component Sense

Rochester Electronics

Jameco

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

NTD2955T4G.

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -2.94%

Modelli CAD

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Parti alternative

1 parte disponibile

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Current Rating-12 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance180 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time48 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance750 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation55 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-2.8 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation55 W

Rds On Max180 mΩ

Resistance180 mΩ

Rise Time45 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-2.8 V

Turn-Off Delay Time26 ns

Turn-On Delay Time10 ns

Voltage Rating (DC)-60 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTD2955T4G.

JRH Electronics

Datasheet8 pagine20 anni fa

IHS

Upverter

Future Electronics

Newark

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement3 pagine5 anni fa

Reach Statement8 pagine11 anni fa

Rohs StatementN/AN/A