onsemi NSS12200LT1G
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.09%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNSS40200LT1G
40V 460mW 220@500mA,2V 2A PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemiNSS60200LT1G
ON SEMI NSS60200LT1G PNP LOW SATURATION BIPOLAR TRANSISTOR,2 A,60V,3-PIN SOT-23
Toshiba2SA1312-BL(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NSS12200LT1G fornite dai suoi distributori.
NSS12200L Series 12 V 2 A 460 mW Low VCE(sat) PNP Transistor - SOT-23-3
12V 460mW 2A PNP SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
180mV@ 200mA,2A PNP 540mW 7V 100nA 12V 12V 2A SOT-23-3，TO-236 SMD mount 2.9mm*1.3mm*940μm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Bjt Single, Pnp, 12V, 2A; |Onsemi NSS12200LT1G
TRANSISTOR, PNP, -12V, -2A, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-12V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:460mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:250hFE; Tran
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.09%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min150
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation540 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità