onsemi NSS1C200LT1G
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Tendenza a 3 mesi: -96.49%
Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNSVBSS63LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Toshiba2SA1163-GR(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NSS1C200LT1G fornite dai suoi distributori.
NSS Series 100 V 2 A Surface Mount Low Vce PNP Transistor - SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); NSS1C200LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 100 V; 2 A
100V 490mW 120@50mA,2V 2A PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Bipolar Junction Transistor Arrays - Bjt; |Onsemi NSS1C200LT1G
PNP Transistor 250mV@200mA 2A 710mW 7V 100nA 140V 100V SOT-23-3/TO-236, SMD, 2.9mm × 1.3mm × 1mm
Low VCE(sat) Transistor, PNP, 100 V, 2.0 A
Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
Trans GP BJT PNP 100V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
2000 mA 100 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100V; Transition Frequency ft: 120MHz; Power Dissipation Pd: 490mW; DC Collector Current: -2A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transisto
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -96.49%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage-40 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation710 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation710 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità