onsemi NSBC114TDXV6T1G
$ 0.092
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NSBC114TDXV6T1G | 7875 | 5515 | |||||||||
| Rochester Electronics | NSBC114TDXV6T1G | 11.865 | 20h | |||||||||
| DigiKey | NSBC114TDXV6T1GOSCT-ND | 19.890 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | NSBC114TDXV6T1G | 0 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NSBC114TDXV6T1G | 0 | 4K | Bulk |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.09%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NSBC114TDXV6T1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.092
$ 0.044
$ 0.044
Stock
534,805
865,431
865,431
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-563
SOT-563
SOT-563
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
-
hFE Min
160
160
160
Power Dissipation
357 mW
357 mW
357 mW
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNSBC143TDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiEMD5DXV6T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
ToshibaRN1910FE,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mW 5V 100nA 50V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NSBC114TDXV6T1G fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
250mV@ 1mA,10mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 500mW 500nA 50V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm*550¦Ìm
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
TRANSISTOR, AEC-Q101, DUAL NPN, SOT-563; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: -; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-563; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -42.09%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-563
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min160
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation357 mW
Voltage Rating (DC)50 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NSBC114TDXV6T1G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità