onsemi NDF03N60ZH
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Pkg
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1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.384
Stock
520,215
183,612
Authorized Distributors
2
3
Mount
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vds)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
-
3.9 V
Rds On Max
3.6 Ω
3.6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
-
25 W
Input Capacitance
372 pF
372 pF
Supply Chain
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2016-05-06
LTD Date2016-11-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonSPP02N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220-3 N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NDF03N60ZH fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET 600V 3A 3.6 Ohm Single N-Channel TO-220FP Optimized
Trans MOSFET N-CH 600V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
27W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 18nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 3.6Ω@ 1.2A,10V 2.6A 372pF@25V TO-220-2 Through hole mounting
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Resistance3.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance372 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.6 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità