onsemi MSA1162GT1G
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Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.025
Stock
1,630,904
1,140,224
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SC
SC
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
80 MHz
80 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
200 mW
200 mW
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC856BWT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Surface Mount
onsemiBC857BWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiMSB1218A-RT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
NXP SemiconductorsBC856BT,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA143EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA143ZUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MSA1162GT1G fornite dai suoi distributori.
PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW Surface Mount Bipolar (BJT) Transistor - SC-59
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PNP Bipolar Transistor hFE 200 to 400
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
500mV@ 10mA,100mA PNP 200mW 7V 100nA 60V 50V 100mA SC-59 2.9mm*1.5mm*1.09mm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -50V, SC-59; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:80MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200hFE
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency80 MHz
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency80 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità