onsemi MPSA29-D26Z
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Pkg
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.127
Stock
1,132,226
1,140,703
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
800 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
Power Dissipation
625 mW
1.5 W
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC63916-D27Z
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MPSA29-D26Z fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 800mA 125MHz 625mW Through Hole T
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Bipolar Junction Darlington Transistor
BIPOLAR ARRAY, DUAL NPN, 100V, 0.5A/TO92;
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. See MPSA28 for characteristics.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current800 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità