onsemi MMBTA13LT3G
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Stock
2,368,617
18,181,423
18,181,423
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
300 mA
300 mA
300 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
10000
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiMMBTA14LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
onsemiMMBTA14LT1G
Bipolar Transistors (BJT); MMBTA14LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 30 V; 300 mA
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MMBTA13LT3G fornite dai suoi distributori.
onsemi Darlington Transistor, NPN, 300mA, SOT-23, SMD, 3-Pin
NPN Bipolar Darlington Transistor
Trans, Npn, 30V, 0.3A, 150Deg C, 0.225W; |Onsemi MMBTA13LT3G
NPN SILICON DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR
Darlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23
Small Signal Bipolar Transistor
TRANS NPN DARL 30V 300MA SOT23-3
TRANSISTORS, DARLINGTON, SS DL XSTR NPN 30V
SOT-23 Darlington Transistors ROHS
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min10000
Max Collector Current300 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Transition Frequency125 MHz
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità