onsemi MMBT3904TT1
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.039
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Stock
31,070,259
8,863,315
8,863,315
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
SOT-416
SOT-416
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
300 mW
300 mW
300 mW
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiFJN3310RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
onsemiFJNS3201RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
NXP Semiconductors2PD601AR,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MMBT3904TT1 fornite dai suoi distributori.
Cut Tape (CT) Single 3 EAR99 Bipolar (BJT) Transistor 200mA 300mW 300MHz 250ns
NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-416 T/R
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.3W; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:SOT-416; C-E Breakdown Voltage:40V; DC Collector Current:0.2A; Leaded Process Compatible:No ;RoHS Compliant: No
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità