onsemi MJE5852G
$ 1.565
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.82%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJE5852G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 TraceParts | 3D | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJE5852G fornite dai suoi distributori.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, 400 V, 80 W, 8 A, 15 Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJE5852G
ON SEMI MJE5852G PNP HIGH VOLTAGE BIPOLAR TRANSISTOR, 8 A, 400 V, 3-PIN TO-220AB
8.0 A, 400 V PNP Bipolar Power Transistor
SWITCHMODE PNP SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
400V 80W 8A 5@5A5V 5V@8A3A PNP -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 80W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Transistor Case Style:
The MJE5850 MJE5851 and the MJE5852 transistors are designed for high-volt age high-speed power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line operated switchmode applications such as:
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)450 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min5
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)-400 V
Dimensions
Height9.28 mm
Length10.28 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità