onsemi MJE182G
$ 0.362
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.10%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJE182G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.362
$ 0.246
$ 0.246
Stock
1,149,361
3,444,301
3,444,301
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-225
TO-126
TO-126
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7 V
1.7 V
1.7 V
hFE Min
12
12
12
Power Dissipation
12.5 W
1.5 W
1.5 W
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJE182G fornite dai suoi distributori.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 80VDC, IC 3A, PD 1.5W, TO-225AA, VCBO 80VDC
Bipolar Transistors (BJT); MJE182G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 3 A
3.0 A NPN Bipolar Power Transistor 80 V
80V 1.5W 50@100mA,1V 3A NPN TO-225 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
MJE Series 100 V 3 A NPN Complementary Plastic Silicon Power Transistor TO-225AA
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi NPNTransistor, TO-225AAencapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current3 A, maximum collector-emission voltage80 V
POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Curre
Power Transistor, Npn, 80V, To-225; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:80V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:12.5W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:50Mhzrohs Compliant: Yes |Onsemi MJE182G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min12
Max Collector Current3 A
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation12.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height11.0998 mm
Length7.7978 mm
Width2.9972 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità