onsemi MJD50G
$ 0.437
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +23.25%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJD50G.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi MJD50G, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.437
$ 0.28
$ 0.28
Stock
62,986
4,717,358
4,717,358
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
400 V
400 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.56 W
1.56 W
1.56 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD50G fornite dai suoi distributori.
1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, HIGH VOLTAGE, POWER, VCEO 400VDC, IC 1A, PD 15W, DPAK
MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:400V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:1.56W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Transition Frequency:10Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:30Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD50G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +23.25%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)500 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Collector Current1 A
Max Frequency2 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJD50G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità