onsemi MJD41CT4G
$ 0.323
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.323
$ 0.622
$ 0.622
Stock
989,557
818,727
818,727
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
D2PAK
D2PAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
6 A
6 A
6 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
1.75 W
2 W
2 W
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD41CT4G fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
6.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
ON Semi MJD41CT4G NPN Bipolar Transistor; 6 A; 100 V; 3-Pin DPAK
100V 1.75W 15@3A,4V 6A NPN TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 100 V 6 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS NPN 100V 6A DPAK
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
1.5V@ 600mA,6A NPN 1.75W 5V 50¦ÌA 100V 100V 6A TO-252-2 SMD mount 2.51mm(height)
TRANS, BIPOL, NPN, 100V, TO252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: 6A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Transistor C
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current6 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità