onsemi MJD2955G
$ 0.43
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.46%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.43
$ 0.312
$ 0.312
Stock
276,704
2,399,064
2,399,064
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
2 MHz
2 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
1.1 V
1.1 V
hFE Min
5
5
5
Power Dissipation
1.75 W
20 W
20 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiMJD2955T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiNJVMJD2955T4G
TRANS PNP 60V 10A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD2955G fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
MJD Series 60 V 10 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252-3
ON SEMICONDUCTOR - MJD2955G - RF TRANSISTOR, PNP, -60V 2MHZ D-PAK
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
TRANSISTOR, RF; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 2MHz; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 2hFE; Transistor Case Style: TO-252;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.46%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)70 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.223 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità