onsemi MJD210T4G
$ 0.228
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.34%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJD210T4G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.228
$ 0.386
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Stock
1,297,118
150,463
150,463
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
-
-
Max Collector Current
5 A
5 A
5 A
Transition Frequency
65 MHz
65 MHz
65 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
1.8 V
1.8 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.4 W
1.4 W
1.4 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD210T4G fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD210T4G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 25 V; 5 A
5.0 A, 25 V PNP Bipolar Power Transistor
25V 1.4W 45@2A,1V 5A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 25 V 5 A Tab Mount PNP Complementary Plastic Power TransistorTO-252-3
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, TO-252-4; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-25V; Transition Frequency ft:65MHz; Power Dissipation Pd:1.4W; DC Collector Current:-5A; DC Current Gain hFE:70hFE; Tra
Bipolar Transistor, Pnp, -25V D-Pak, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:25V; Continuous Collector Current:5A; Power Dissipation:1.4W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD210T4G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating-5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency65 MHz
Gain Bandwidth Product65 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current5 A
Max Frequency65 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.4 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency65 MHz
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità