onsemi MCH6664-TL-W
$ 0.267
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
InfineonBSD316SNH6327XTSA1
BSD316 Series 30V 1.4A 500mW 160mOhm Single N-Channel MOSFET SOT363-6
VishaySI1539CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
InfineonBSD314SPEH6327XTSA1
MOSFET Devices; INFINEON; BSD314SPEH6327XTSA1; -30 V; -1.5 A; 20 V; 500 mW
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MCH6664-TL-W fornite dai suoi distributori.
Dual Mosfet, Dual P Channel, -1.5 A, -30 V, 0.458 Ohm, -4 V, -2.6 V |Onsemi MCH6664-TL-W
Dual P-Channel Power MOSFET, -30V, -1.5A, 325mΩ
MCH6664 Series 30 V 325 mOhm Dual P-Channel Power Mosfet - SC-88FL/ MCPH6
PCH 1.5A 30V SOT-363; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.5A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.458ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4V; Threshold Voltage Vgs: -2.6V; Power
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight7.512624 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)-1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance82 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation800 mW
Rds On Max325 mΩ
Rise Time3.3 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-2.6 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità