Vishay SI1912EDH-T1-E3
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI1912EDH-T1-E3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SI1912EDH-T1-E3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
VishaySI1403BDL-T1-GE3
Si1403BDL Series P-Channel 20 V 0.15 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-363
VishaySI1967DH-T1-GE3
SI1967DH-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.1 A, 20 V, 6-PIN SOT-363
Diodes Inc.DMP2200UDW-7
Dual Mosfet, P-Ch, 20V, 0.9A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2200UDW-7
VishaySI1403CDL-T1-GE3
Si1403CDL Series 20 V 140 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SC-70-6
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI1912EDH-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CH 20V 630MOHM@2.5Vgs ESD PROTECT
MOSFET, NN CH, 20V, SOT363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:570mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:1.28A; Current Id Max:1.28A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):280mohm; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:570mW; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.13 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation740 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs450 mV
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation570 mW
Rds On Max280 mΩ
Resistance280 mΩ
Rise Time85 ns
Threshold Voltage450 mV
Turn-Off Delay Time350 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height900 µm
Length2.05 mm
Width1.25 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI1912EDH-T1-E3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità