onsemi KSP44TA
$ 0.207
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -38.40%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.207
$ 0.171
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Stock
1,337,181
640,622
640,622
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
500 V
400 V
400 V
Max Collector Current
300 mA
300 mA
300 mA
Transition Frequency
100 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
750 mV
750 mV
750 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsPHE13003A,126
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSP44TA fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSP Series NPN 625 mW 400 V 300 mA Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Bipolar Transistors (BJT); KSP44TA; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 400 V; 300 mA
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
400V 625mW 50@10mA,10V 300mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current300 mA, maximum collector-emission voltage400 V
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)500 V
Collector Emitter Breakdown Voltage500 V
Collector Emitter Saturation Voltage750 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Current Rating300 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min40
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current300 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
TerminationThrough Hole
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità