onsemi KSC3503DS
EOL
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-07-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
onsemiKSC2258ASTU
Tube Through Hole NPN Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 40mA 20V 100mA 4W 100MHz
onsemiKSC2688YSTU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 10mA 10V 100muA ICBO 1.25W 80MHz
onsemiKSC3953DSTU
Tube Through Hole NPN KSC3953 Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 10mA 10V 200mA 1.3W 400MHz
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSC3503DS fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 150 MHz, 7 W, 100 mA, 60
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
KSC3503 Series 300 V 100 mA 7 W Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-126
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 300V, TO-225AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-126-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min60
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation7 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height14.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità