onsemi BD13710STU
$ 0.197
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BD13710STU | 806 | 4546 | 13h | ||||||||
| Rochester Electronics | BD13710STU | 13.971 | 11h | |||||||||
| Flip Electronics | BD13710STU | 806 | 6d | |||||||||
| Farnell | BD13710STU | 0 | 5 | 1d | ||||||||
| Win Source | WS-BD13710STU | 255 | 90 | 12h |
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BD13710STU fornite dai suoi distributori.
1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
1.5 A, 45 V PNP Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BD135 Series 60 V 1.5 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
500mV@ 50mA,500mA NPN 1.25W 5V 100nA 60V 60V 1.5A TO-126-3 8mm*3.25mm*1.5mm
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-126-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 63hFE; Transis
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min63
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height14.2 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità