onsemi HUFA75307T3ST
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-06-20
LTD Date2022-12-20
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Parti correlate
InfineonIRFL024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
InfineonIRFL024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V
InfineonIRLL024NPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 0.065ohm; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Descrizioni
Descrizioni di onsemi HUFA75307T3ST fornite dai suoi distributori.
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 2.6A, 90mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
1.1W(Ta) 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 20V 1N 55V 90m¦¸@ 2.6A,10V 250pF@25V SOT-223-4
55V, 2.6A, 0.090 OHM, NCH ULTRAFET POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 55V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFETs 15a, 55V N-Channel UltraFET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Current Rating2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità