onsemi FQU8P10TU
$ 0.581
EOL
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
InfineonIRLU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
InfineonIRFU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQU8P10TU fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -6.6 A, 530 mΩ, IPAK
-100 V, -6.6 A, 530 MILLI OHM P-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
2.5W(Ta)，44W(Tc) 30V 4V@ 250µA 15nC@ 10 V 1individualPChannel 100V 530mΩ@ 3.3A,10V 6.6A 470pF@25V TO-251 Through hole mounting 6.8mm*2.5mm*6.3mm
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating-6.7 A
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance470 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max530 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità