onsemi FQI11N40TU
$ 1.046
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQI11N40TU.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-10-20
LTD Date2008-04-20
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQI11N40TU fornite dai suoi distributori.
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 11.4A Tc 3.13W Ta 147W Tc 400V -55C~150C TJ
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 400V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 400V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Current Rating11.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQI11N40TU.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità